45A
SMD(SO)/表面封装
P45N02LS白字,MOS,25V,45A,0.028Ω,263
2.5
N-FET硅N沟道
NIKO
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
600
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
产品型号:P45N02LSG
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):60
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):16
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):140
导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.
上升时间Tr(ns):7 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.
下降时间Tf(ns):6 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:25V,45A N-沟道增强型场效应晶体管
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