SMD(SO)/表面封装
TK5A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,5A,1.43Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
Toshiba/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名：深圳市金城微零件有限公司
类型：经销商
电话： 0755-83683996
联系人：钟丽华
QQ： 
邮箱：2355799088@qq.com
地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面） 门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
产品型号:TK5A65D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
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