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场效应管 SSM3J332R,KFJ

场效应管 SSM3J332R,KFJ
场效应管 SSM3J332R,KFJ
  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    SSM3J332R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-6A,0.042Ω

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

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    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息 更新时间:2013-12-04

SSM3J332R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-6A,0.042Ω,带二极静电保护

应用:
 * 电源管理开关应用

特点:
 * 1.8-V驱动器
 * 低导通电阻RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
             RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

产品型号:SSM3J332R

封装:SOT-23

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±12

漏极电流Id(A):-6

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.042 @VGS = -10 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.2

功率PD(W):1

输入电容Ciss(PF):560 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s):11.3

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J332R,-30V,-6A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect

Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)


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企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

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