SMD(SO)/表面封装
SSM3J332R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-6A,0.042Ω
P-FET硅P沟道
S/开关
TOSHIBA/东芝
P沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
SSM3J332R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-6A,0.042Ω,带二极静电保护
应用:
* 电源管理开关应用
特点:
* 1.8-V驱动器
* 低导通电阻RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (@VGS = -10 V)
产品型号:SSM3J332R
封装:SOT-23
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):-6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.042 @VGS = -10 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.2
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):560 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):11.3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J332R,-30V,-6A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect
Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)
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