您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

场效应管 SSM3J321T,KFA

场效应管 SSM3J321T,KFA
场效应管 SSM3J321T,KFA
  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    SSM3J321T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-5.2A,0.046Ω

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

SSM3J321T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-5.2A,0.046Ω

应用:
 * 电源管理开关应用
 * 高速开关应用
特点:
 * 1.5V驱动器
 * 低导通电阻:RON =137mΩ()(@ VGS =-1.5 V)
               RON =88mΩ()(@ VGS= -1.8 V)
               RON =62mΩ()(@ VGS= -2.5 V)
               RON =46mΩ()(@ VGS =-4.5 V)

产品型号:SSM3J321T

封装:SOT-23

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

漏极电流Id(A):-5.2

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):0.7

输入电容Ciss(PF):640 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s):12.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273

导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):102 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:-20V,-5.2A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect

Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V)


登陆我站:https://www.chinajincheng.com
企业Q
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了

解\查询\.)

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

QQ: QQ:2355799088

邮箱:2355799088@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9