P-DIT/塑料双列直插
TJ9A10M3
P-FET硅P沟道
S/开关
Toshiba/东芝
P沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
产品型号:TJ9A10M3,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-3A,0.17Ω
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)
1。应用
* 开关稳压器
2。特点
(1)低漏源导通电阻: RDS(ON) = 120 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
(2)低漏电流: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -100 V)
(3)增强模式: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
封装:TO-220F
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.17 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-4
功率PD(W):19
输入电容Ciss(PF):2900 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):24
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):25
导通延迟时间Td(on)(ns):27 typ.
上升时间Tr(ns):12 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):195 typ.
下降时间Tf(ns):32 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TJ9A10M3,-100V,-3A,0.17Ω P-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
企业网站:https://www.chinajincheng.com
企业Q
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