一系列双路增强型P沟道MOSFET场效应IC

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新品上架

商品信息 更新时间：2012-11-06

30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V 双 P 沟道增强型 MOS 管

VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,= 60mΩ
RDS(ON),,= 90mΩ

家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

FET - 阵列

PowerTrench®

2 个 P 沟道（双）

逻辑电平门

55 毫欧 @ 5A, 10V

30V

5A

3V @ 250µA

9nC @ 5V

528pF @ 15V

900mW

表面贴装

8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)

联系方式

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场双信飞电子经营部

类型：生产加工

电话： 0755-61303735

联系人：刘镇双

地址：广东深圳公司地址:深圳市中航路新亚洲电子城4A024,公司都会电子城100B座27K,

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