| 品牌：FAIRCHILD/*童 | 型号：FGA25N120ANTD | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：LMP-C/阻*变换 |
| 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 |
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT结合*佳的*雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用*系统*性和效率。
FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的*沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受*大450mJ的雪崩能量，*在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。
飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim称：“在电磁加热设备中，不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障会引起雪崩模式情况，导致机器*失效。为了解决IH应用中的这些*性问题，我们的新型1200V NPT沟道IGBT提供业界*佳的*雪崩能力，还同时优化性能方面的权衡，以降低工作温度及*总体系统效率。”
FGA25N120ANTD的其它特性和系统优势包括：低饱和电压 (VCE(sat), t*=2.0V IC=25A和TC=25°C)以限制导通损耗；低开关损耗(Eoff, t* = 0.96mJ IC=25A和TC=25°C)以减少系统功耗；以及内置FRD(*二*管)以简化电路设计和减少元件数。
FGA25N120ANTD以TO-*无铅封装形式供货，能*甚至**/JEDEC的 J-STD-020B标准要求，并*合现已生效的欧盟标准
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