| 品牌/商标 | HIT日本日立 | 型号/规格 | 5N2519.5N3011.5N2008 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 200-300（V） | 夹断电压 | 200-300（V） |
| 低频跨导 | N（μS） | *间电容 | N（pF） |
| 低频噪声系数 | N（dB） | *大漏*电流 | N（mA） |
| *大耗散功率 | N（mW） |
5N2519：Vd=250V Id=65A Pch=150W
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