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MOSFET增强型MOS管N沟道

MOSFET增强型MOS管N沟道

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普通会员

企业名：深圳市福田区华强广场新原电子销售部

类型：经销商

电话： 755-83200113

联系人：欧阳立

地址：广东深圳深圳市福田区华强北路华强广场一层Q1C040室

产品分类

电源IC(11)
∟ 稳压IC(8)∟ 其他电源IC(3)
二极管(75)
∟ 整流二极管(3)∟ 开关二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(3)∟ 肖特基二极管(35)
三极管(59)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(6)∟ 功率三极管(18)∟ 开关三极管(3)∟ 低噪声三极管(2)∟ 复合(达林顿)三极管(3)∟ 高反压三极管(1)∟ 其他三极管(7)
场效应管MOSFET(138)
∟ MOSFET(62)∟ 其他场效应管模块(13)
可控硅IGBT(4)
∟ 双向可控硅(晶闸管)(2)∟ 可控硅(晶闸管)模块(1)
其他未分类(4)

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商品信息

品牌/商标	FAIRCHILD	型号/规格	FQP8N60C
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	SW-REG/开关电源
材料	N-FET硅N沟道	开启电压	2-4（V）
夹断电压	0（V）	跨导	8.7S（μS）
*间电容	965（pF）	大漏电流	7.5A（mA）
*大耗散功率	147W（mW）

描述

晶体管*性:N沟道
电流, Id 连续:7.5A
电压, Vds *大:600V
在电阻RDS（上）:1ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
工作温度范围:-55°C 到 +150°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
功率, Pd:147W
功耗:147W
外宽:10.67mm
外*度/高度:4.83mm
封装类型:TO-220
晶体管数:1
晶体管类型:
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
漏*电流, Id *大值:7.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电压, Vgs *高:30V
电流, Idm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on *大:1.2ohm
阈值电压, Vgs th *高:4V

联系方式

企业名：深圳市福田区华强广场新原电子销售部

类型：经销商

电话： 755-83200113

联系人：欧阳立

地址：广东深圳深圳市福田区华强北路华强广场一层Q1C040室

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