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销售分离式半导体产品,STB4N62K3,MOSFET N 通道,金属氧化物

销售分离式半导体产品,STB4N62K3,MOSFET N 通道,金属氧化物
销售分离式半导体产品,STB4N62K3,MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 型号/规格:

    STB4N62K3

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:深圳市创立翔科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-88600801

    手机:15820412118

    联系人:吴妙珠

    QQ: QQ:718428593QQ:1951590438

    邮箱:718428593@qq.com

    地址:广东深圳福田区深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室

商品信息

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB4N62K3


Limited quantity available in value add packaging; alternate packaging exists.

非库存货 ? 

美元价格
Digi-Key 零件编号 497-10645-1-ND
价格分段 单价 扩充价格
1 2.20000 2.20
10 1.98700 19.87
25 1.78040 44.51
100 1.60080 160.08
250 1.42140 355.35
500 1.24200 621.00
现有数量 Digi-Key库存现货 : 1,000
可立即发货 
制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STB4N62K3

描述 MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求


数量 项目编号
 ? 
客户证明
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK | STB4N62K3 | 497-10645-1-ND | Digi-Key Corp. 

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数据列表 ST(B,D)4N62K3
产品相片 TO-263
其它有关文件 STB4N62K3 View All Specifications
PCN 设计/规格 D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013
标准包装 ?  1
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperMESH3™
包装 ?  剪切带 (CT) ? 
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 620V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时) 3.8A (Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 1.95 欧姆 @ 1.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 450pF @ 50V
功率 - 值 70W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
其它名称 497-10645-1

主营:


联系方式

企业名:深圳市创立翔科技有限公司

类型:经销商

电话: 0755-88600801

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