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场效应管 AP83T03GH,AP83T03GH-HF,83T03GH

场效应管 AP83T03GH,AP83T03GH-HF,83T03GH
场效应管 AP83T03GH,AP83T03GH-HF,83T03GH
  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    AP83T03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.006Ω

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    AP/富鼎

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

VIP会员 第 19
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
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    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息 更新时间:2012-12-15

产品型号:AP83T03GH-HF

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):75

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):60

输入电容Ciss(PF):1150 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):55

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.

上升时间Tr(ns):86 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.

下降时间Tf(ns):14 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
特点:
低导通电阻
简单的驱动器要求
快速开关特性
符合RoHS及无卤素
 
应用:适用于低电压应用,如DC / DC转换器

如需了解更多的产品信息,直接与我司工作人员联系!
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)

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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
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