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场效应管 2SK4212 2SK4212-ZK-E1 K4212

供应 场效应管 2SK4212 2SK4212-ZK-E1 K4212
供应 场效应管 2SK4212 2SK4212-ZK-E1 K4212
  • 型号/规格:

    2SK4212-ZK-E1

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    SOT-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    2500/盘

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
    0755-83364431

    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息

2SK4212-ZK-E1,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,48A,0.0078Ω

开关
N沟道功率MOSFET

2SK4212是N沟道MOSFET器件,具有低通态电阻和优良的开关特性,专为低电压高电流的应用

,如同步整流DC/ DC转换器。


特点:
 * 低通态电阻:
             RDS(on)1 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)
             RDS(on)2 = 14 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A)
 * 低总栅极电荷:
             QG = 27 nC TYP. (VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)
 * 4.5 V可驱动
 * 额定的雪崩能力)

产品型号:2SK4212 N沟道功率MOSFET


封装:SOT-252

品牌:NEC

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):48

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0078 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):35

输入电容Ciss(PF):1200 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):22

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):28.9

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

上升时间Tr(ns):14 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.

下降时间Tf(ns):11 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK4212-ZK-E1,N场,25V,48A N-沟道增强型场效应晶体管


(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
0755-83364431

手机:15811840616
15811829690

联系人:刘小姐/钟小姐

QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

微信:

邮箱:2355799104@qq.com

地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

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