SSM5H16TU,TOSHIBA,SOT-323-5,SMD/MOS,N场,30V,1.9A,0.133Ω

产品型号:SSM5H16TU

封装:SOT-323-5

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):1.9

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.133 @VGS = 4 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):123 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：3.9

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):9.2 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):6.4 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM5H16TU,30V,1.9A,0.133Ω N-沟道增强型场效应晶体管

 

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