产品型号:IPI65R110CFD 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor

标记：65F6110

封装:TO-262

品牌：Infineon/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

漏极电流Id(A):31.2

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.11 @VGS = 10 V

应用:个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明（高压气体放电灯）产品以及电视机（液晶或等

离子电视机）和游戏机等各种高能效应用及消费电子产品等.

英飞凌科技（Infineon Technologies）推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET

）600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉

宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超

低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有

更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

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