品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXTK62N25 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | M*金属半导体 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | *间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | *大漏*电流 | 1(mA) |
*大耗散功率 | 1(mW) |
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