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GT2300 SOTPCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型 MOS
VDS= 20V
RDS(ON),,= 38mΩ
RDS(ON),,= 30mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance *低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability 大功率、大电流
Ideal for Li ion battery pack applications 理想的锂电池应用
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
