SI2301DS-T1-* SOTPCS/盘
20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -20V
RDS(ON),,= 85mΩ
RDS(ON),,= 110mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance *低的导通电阻高密度的单元设计
《诚芯源HK有限公司》 主要本公司代理系列电子元器件：集成电路IC,二三*管，常用料常备现货，可接受系列产品订货，量大从优，也可为工厂客户提供配套服务：贴片电容电阻类等，欢迎来电洽谈：销售：/
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