| 是否提供加工定制：否 | 品牌：国产 | 型号：2SC3153 |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | *性：NPN型 |
| 结构：平面型 | 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 |
型号：2SC3153
NPN硅大功率晶体管
封装形式：TO-247
电特性：
*限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | * 号 | 额定值 | 单 位 |
集电*—发射*电压 | VCE0 | 800 | V |
集电*—基*电压 | VCBO | 900 | V |
发射*—基*电压 | VEBO | 7 | V |
集电*电流 | IC | 6 | A |
基*电流 | IB | 3 | A |
耗散功率 | Pc | 100 | W |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | *号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | ||||
集电*-基*截止电流 | ICB0 | VCB=800V, IE=0 | — | — | 10.0 | uA |
发射*-基*截止电流 | IEB0 | VEB=5V, IC=0 | — | — | 10.0 | uA |
共发射*正向电流的静态值 | hFEa | IC=50mA, IB=0A | 10 | — | — |
|
集电*-发射*饱和电压 | VCEsata | IC=6.0A , IB=2.0A | 800 | — | 1 | V |
集电*-发射*击穿电压 | V(BR)CEO | IC=5mA, IB=0 | 800 | — | — | V |
集电*-基*击穿电压 | V(BR)CBO | IC=1mA, IE=0 | 900 | — | — | V |
发射*-基*击穿电压 | V(BR)EBO | IC=1mA , IC=0 | 7.0 | — | — | V |
特征频率 | fT | Vce=10V，Ic=1A | 7.0 | — | — | MHz |
开启时间 | Ton | VCC=400V, IC=4.0A IB1=0.8A, IB2=-1.6A RL=100 ohm | — | — | 1.0 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 3.0 | us | |
下降时间 | tf | — | — | 0.7 | us | |
a:脉冲测试 | ||||||
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