| 是否提供加工定制：否 | 品牌：国产 | 型号：2SC2625 |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | *性：NPN型 |
| 结构：平面型 | 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 |
型号：2SC2625
NPN硅大功率晶体管
封装形式：TO-*N
电特性：
*限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | * 号 | 额定值 | 单 位 |
集电*—发射*电压 | VCE0 | 400 | V |
集电*—基*电压 | VCBO | 450 | V |
发射*—基*电压 | VEBO | 7 | V |
集电*电流 | IC | 10 | A |
基*电流 | IB | 3 | A |
耗散功率 | Pc | 80 | W |
结 温 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | *号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | ||||
集电*-基*截止电流 | ICB0 | VCB=450V, IE=0 | — | — | 1.0 | mA |
发射*-基*截止电流 | IEB0 | VEB=7V, IC=0 | — | — | 0.1 | mA |
直流电流增浮率 | hFE | IC=4A, Vce=5V | 10 | — | — |
|
集电*-发射*饱和电压 | VCEsata | IC=4A , IB=0.8A | — | — | 1.2 | V |
基 *-发射*饱和电压 | VBEsata | — | — | 1.5 |
| |
集电*-发射*击穿电压 | V(BR)CEO | IC=10mA, IB=0 | 400 | — | — | V |
集电*-基*击穿电压 | V(BR)CBO | IC=1.0mA, IE=0 | 450 | — | — | V |
特征频率 | fT | Vce=10V，Ic=1A |
| — | — | MHz |
开启时间 | Ton | VCC=150V, IC=5.0A IB1= -1A, IB2=1.0A RL=30 ohm | — | — | 1.0 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 2.5 | us | |
下降时间 | tf | — | — | 1.0 | us | |
a:脉冲测试 | ||||||
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