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场效应管模块 IXFN38N100Q2 IXFN38N100

供应场效应管模块 IXFN38N100Q2  IXFN38N100
供应场效应管模块 IXFN38N100Q2  IXFN38N100
  • 品牌/商标:

    IXY美国电报半导体

  • 型号/规格:

    IXFN38N100Q2

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 开启电压:

    1000(V)

  • 夹断电压:

    1000(V)

  • 跨导:

    1(μS)

  • *间电容:

    1(pF)

  • 低频噪声系数:

    11(dB)

普通会员
商品信息

【名称】

场效应管

【厂商】

TOSHIBA东芝

【型号】

IXFN38N100Q2

【*】

无铅* 

【封装】

SOT-227B

【*性】

N Channel MOS

【电流】

 38A

【功率】

 890W

【电压】

1000V

【阻值】

0.25Ω 

【配对】

 -

【描述】

 新件

联系方式

企业名:广州市越秀区科俊电子商行

类型:经销商

电话: 20-81857822

联系人:颜晓文

地址:广东广州惠福西路171号8室

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