东光
1N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
2(V)
650(V)
4000(μS)
8(pF)
企业名:周善朗
类型:经销商
电话: 0769-89001930
联系人:周善朗
地址:广东东莞东莞市凤岗天众大厦
原厂*,价格优惠,质量*!
产品参数 T=25
Characteristics(参数) | Symbol(*号) | Value(额定值) | Units(单位) |
漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
连续漏*电流 | I d | 1 | A |
栅源电压 | V gs | &plu*n;30 | V |
雪崩能量 | E as | 160 | mJ |
耗散功率 | P d | 40 | W |
储存温度 | T stg | -55~150 | ℃ |
热阻(结到壳) | R jc | 3.13 | ℃/W |
正向压降 | V sd | 1.4 | V |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司