品牌:无锡华晶 型号:CS8N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3.2(V) 跨导:参见详细说明(μS) *间电容:参见详细说明(pF) *大耗散功率:参见详细说明(mW)
CS8N60型硅N沟道VDMOS功率晶体管,主要用于电源适配器、充电器等线性放大和功率开关电路。
其特点如下:
1、开关速度快
2、通态电阻低
3、可并联使用
4、驱动简单
5、封装形式:TO-220AB
典型参考数据:
VDSS =600V
ID =8A
Ptot=125W (TC=25℃)
主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。
以上价格为*税价!
产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提*品应用技术支持!
本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有:PWM控制器、场效应管、二*管、三*管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
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