品牌:无锡华晶 型号:CS12N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2~4（V） 跨导:详见详细说明（μS） *大漏*电流:详见详细说明（mA） *大耗散功率:详见详细说明（mW）
华润华晶出品，现货供应，质量好，价格优！
硅N沟道VDMOS功率晶体管，主要用于电源适配器、充电器等线性放大和功率开关电路。其特点如下：
● 开关速度快
● 通态电阻低
● 可并联使用
● 驱动简单
● 封装形式：TO-220AB
典型参考数据:
VDSS=600V
ID= 12A
Ptot= 180W （TC=25℃）
主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。
以上价格为*税价！
产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提*品应用技术支持！
本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有：PWM控制器、场效应管、二*管、三*管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
