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IRF840 功率管 IRF840 *IRF840 电磁炉功率管IRF840

IRF840 功率管 IRF840 *IRF840 电磁炉功率管IRF840
IRF840 功率管 IRF840 *IRF840 电磁炉功率管IRF840
  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 集电*耗散功率PCM:

    125

  • 封装形式:

    直插型

  • 集电*允许电流ICM:

    Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA

  • 型号/规格:

    IRF840

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
商品信息

IRF840

数据列表IRF840PBF

Packaging Information

产品相片TO-220-3, TO-220AB

标准包装1,000

类别分离式半导体产品

家庭FET -

系列-

FETMOSFET N通道,金属氧化物

FET特点标准型

漏*至源*电压(Vdss) 500V

电流-连续漏*(Id) @ 25°C 8A

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25°C 850毫欧@ 4.8A, 10V

Id时的Vgs(th)(*大)4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V

输入电容(Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V

功率-*大125W

安装类型通孔

封装/外壳TO-220-3

供应商设备封装TO-220AB

包装管件

 

 

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