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分销IR全系列场效应管增强型MOS管N沟道 IRFBG30 IRFBG30PBF

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  • 企业名:彭志毫

    类型:经销商

    电话: 86 0755 82719303

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    联系人:彭志毫

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商品信息

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBG30PBF
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 VA/场输出级
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 1000(V) 夹断电压 500(V)
*间电容 980(pF) *大漏*电流 3.1(mA)
*大耗散功率 125(mW)

IRFBG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB-Vishay/SiliconixMOSFET N 通道,金属氧化物标准型5 欧姆 @ 1.9A, 10V1000V (1kV)3.1A4V @ 250µA80nC @ 10V980pF @ 25V125W通孔TO-220-3
数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
IRFBG30
TO-220AB PKG
IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
1,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
5 欧姆 @ 1.9A, 10V
1000V (1kV)
3.1A
4V @ 250µA
80nC @ 10V
980pF @ 25V
125W
通孔
TO-220-3
管件
TO-220AB
1483 (CN2010-11 Interactive)
1483 (CN2010-11 PDF)
*IRFBG30PBF

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企业名:彭志毫

类型:经销商

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