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分销IR全系列场效应管原装现货长期供应 IRFBG30 IRFBG30PBF

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRFBG30PBF
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
VA/场输出级
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
1000（V）
夹断电压：
500（V）
*间电容：
980（pF）
漏*电流：
3.1（mA）

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放大器(1)
其他未分类(14)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-21

IRFBG30PBF

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

-

Vishay/Siliconix

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

5 欧姆 @ 1.9A, 10V

1000V (1kV)

3.1A

4V @ 250µA

80nC @ 10V

980pF @ 25V

125W

通孔

TO-220-3

管

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称

IRFBG30

TO-220AB PKG

IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2

1,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

5 欧姆 @ 1.9A, 10V

1000V (1kV)

3.1A