IR/国际整流器
IRFBC20PBF IRFBC20
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
10(V)
10(μS)
350(pF)
企业名:彭志毫
类型:经销商
电话: 86 0755 82719303
手机:13760241411
联系人:彭志毫
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 高科德交易中心12318
数据列表 IRFBC20
Packaging Information
产品相片 TO-220AB
产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 2.2A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 4.4 欧姆 @ 1.3A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 350pF @ 25V
功率 - *大 50W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRFBC20PBF
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司