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IR增强功率MOS管 IRFP23N50L IRFP23N50,500V 23A TO-2...

IR增强功率MOS管 IRFP23N50L IRFP23N50,500V 23A TO-2...
IR增强功率MOS管 IRFP23N50L IRFP23N50,500V 23A TO-2...
  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRFP23N50

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:陈德民

    类型:经销商

    电话: 754-84475714

    联系人:陈德民

    地址:广东汕头广东省汕头市潮南区陈仙路16号

商品信息

产品技术参数

典型关断延迟时间53 ns
典型接通延迟时间26 ns
典型栅*电荷@Vgs150 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds3600 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度5.31mm
封装类型TO-247AC
尺寸15.87 x 5.31 x 20.7mm
引脚数目3
工作温度-55 °C
*大功率耗散370000 mW
*大栅源电压&plu*n;30 V
*大漏源电压500 V
*大漏源电阻值0.235 Ω
*大连续漏*电流23 A
*高工作温度 150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度15.87mm
高度20.7mm

联系方式

企业名:陈德民

类型:经销商

电话: 754-84475714

联系人:陈德民

地址:广东汕头广东省汕头市潮南区陈仙路16号

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