深圳市三资半导体实业有限公司供应场效应管索森美半导体厂家供应场效应管|索森美场效应管|索森美5N60|索森美5N60参数,供应场效应管索森美半导体2N60,5N60,8N60PDF资料: 场效应管：SOURC*EMI索森美：2N60/5N60/8N60技术支持!

深圳市三资半导体有限公司供应5N60|5N60现货供应|5N60现货由三资半导体供应
功能介绍：
功率MOS*—5N60  4.5A，600V  N沟道  

       5N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快 
的开关速度，*低栅电荷，*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源， 
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。  

  1、特征                         

 · 4.5A，600V， RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V；                                                          

 · *低栅电荷，典型15nC；  

 ·*低反向转换电容；典型6.5pF  

 · 快速开关能力；             

 · 增强的dV/di能力；  

 · 100%雪崩击穿测试；                                          

 · 封装型式：TO-220/220F  

 · *大结温 150 ℃       

注释:  

      ⑴ 重复范围: 脉冲宽度受结温限制  

      ⑵ L = 18.9mH, IAS = 4.5A, VDD = 50V, RG = 25 Ω, 开始TJ = 25°C  
      ⑶ ISD ≤ 4.5A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤ BVDSS, 开始 TJ = 25°C  

      ⑷ 脉冲测试: 脉冲宽度<= 300us, 占空比<=2%  

     （5）工作温度*须单独

企业名：深圳市三资半导体有限公司

类型：生产企业

电话： 0755-88876523

手机：13928415552

联系人：刘释临

QQ：

邮箱：56023128@qq.com

地址：广东深圳福田区中航路国利大厦19楼（1906）