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2N60|SSF2N60|场效应管2N60|2N60设计方案

供应2N60|SSF2N60|场效应管2N60|2N60设计方案

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型号/规格：
SSF2N60
品牌/商标：
西安民展微
封装形式：
TO-220
*类别：
无铅*型
安装方式：
直插式
包装方式：
盒带编带包装
功率特征：
*率

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普通会员

企业名：深圳市三资半导体有限公司

类型：生产企业

电话： 0755-88876523

手机：13928415552

联系人：刘释临

QQ：

邮箱：56023128@qq.com

地址：广东深圳福田区中航路国利大厦19楼（1906）

产品分类

电源IC(45)
∟ DC-AC(4)∟ DC-DC(4)∟ LED驱动IC(37)
场效应管MOSFET(55)
∟ MOSFET(20)∟ 结型场效应管(35)

新品上架

商品信息 更新时间：2012-06-05

深圳市三资半导体有限公司供应2N60|SSF2N60|场效应管2N60|2N60设计方案|2N60设计指导|2N60参数SSF2N60|SSF2N60样品|SSF2N60设计指导|SSF2N60设计方案|SSF2N60参数，

地址：深圳市福田区中航路国利大厦13楼（1310）销售,

SSF2N60产品参数：

型号:SSF2N60 封装:TO-220

主要参数: 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A）

应用领域: *灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器

产品功能：功率MOS*—2N60 2A，600V N沟道

2N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快的开关速度，*低栅电荷，*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。

1、特征 · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；

· *低栅电荷，典型9nC；

·*低反向转换电容；典型5pF · 快速开关能力；

· 增强的dV/di能力；

· 100%雪崩击穿测试；

· 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252

· *大结温 150 ℃ 产品图片：

查看原图

地址：深圳市福田区中航路国利大厦13楼（1310）销售

注:了解更多相关产品资料如原理图.BOM.设计指导书.方案优化要点,请直接联系我们索取!
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联系方式

企业名：深圳市三资半导体有限公司

类型：生产企业

电话： 0755-88876523

手机：13928415552

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