Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:12A; On-Resistance, Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC; Drain-Source Breakdown Voltage:30V

晶体管*性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:350mW
集电*直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:300
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:1A
功耗:350mW
器件标记:BT3904
噪声因子(NF), *大:5dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:350mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
*大连续电流, Ic:200mA
*小增益带宽 ft:300MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic *大:200mA
直流电流增益 hfe, *小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat *大:0.2V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP

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