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N沟MOSF管FDN357*SS138

N沟MOSF管FDN357*SS138

N沟MOSF管FDN357*SS138

品牌/商标：
其他
型号/规格：
FDN357*SS138
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
30（V）
夹断电压：
10（V）
跨导：
0（μS）
*间电容：
0（pF）
低频噪声系数：
0（dB）

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普通会员

企业名：深圳市金广顺科技有限公司

类型：经销商

电话：

联系人：孔维年

地址：广东深圳中国广东深圳市南山区创业路中兴工业城10栋二楼8228

产品分类

电源IC(9)
∟ LED驱动IC(7)∟ 稳压IC(2)
二极管(113)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(3)∟ 整流二极管(5)∟ 变容二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(15)∟ 肖特基二极管(16)
三极管(82)
∟ 功率三极管(3)∟ 低噪声三极管(22)∟ 复合(达林顿)三极管(7)∟ 带阻三极管(1)
场效应管MOSFET(81)
∟ MOSFET(51)∟ 结型场效应管(1)
单片机(1)
放电管(1)
∟ 其他放电管(1)
光电子/光纤/激光(6)
∟ 光电光耦合器(光耦)(6)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

新品上架

商品信息

SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称

FDN357N

SOT-23-3

High Voltage Switches for Power Processing

Mold Compound Change 07/Dec/2007
Mold Compound Change 08/April/2008

SuperSOT-3, SOT-23

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

60 毫欧 @ 2.2A, 10V

30V

1.9A

2V @ 250µA

5.9nC @ 5V

235pF @ 10V

460mW

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

带卷 (TR)

3-SSOT

1554 (CN2010-11 Interactive)
1554 (CN2010-11 PDF)

FDN357NTR

联系方式

企业名：深圳市金广顺科技有限公司

类型：经销商

电话：

联系人：孔维年

地址：广东深圳中国广东深圳市南山区创业路中兴工业城10栋二楼8228

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