N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF7353D1TRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
S/开关
N沟道
增强型
2W
6.5A
30V
企业名：深圳四海联创电子科技有限公司
类型：经销商
电话：
手机：13510200925
联系人：柯创林
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北中航路高科德电子商场61823室
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
参数
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 二*管（隔离式）
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）6.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）32 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 650pF @ 25V
功率 - *大值 2W
描述
FETKY家庭的共同封装的MOSFET和肖特基二*管提供
设计师的*，电路板节省空间的解决方案，为开关稳压器
和电源管理应用。第五代HEXFET功率
MOSFET采用*的加工技术，以实现*低的
导通电阻每硅片面积。Combinining技术
国际整流器公司在低正向压降的肖特基整流器结果
**的设备适合于使用在各种各样的便携式
电子应用。
SO-8已被修改通过定制引线框架
热特性增强。SO-8封装是专为汽
阶段，*或波峰焊技术。
封装图片展示
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
