12+深圳公司现货IR功率MOS管SOP-8原装IRF7452QTRPBF场效应管

材料：
N-FET硅N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
型号/规格：
IRF7452QTRPBF
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
品牌/商标：
IR/国际整流器
用途：
S/开关
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
功率 - 值：
2.5W
电流 - 连续漏*：
4.5A
漏源*电压 (Vdss)：
100V
类型：
其他IC

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产品分类

二极管(4)
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
三极管(2)
∟ 低噪声三极管(1)
场效应管MOSFET(51)
∟ MOSFET(44)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 光电光耦合器(光耦)(1)

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商品信息

开关电源MOSFET 参数
FET 类型   MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 4.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 60 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）   5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 930pF @ 25V
功率 - *大值   2.5W

描述
专为汽车应用而设计的，这些
HEXFET®功率MOSFET的SO-8封装的利用
*新的加工技术，以实现*低的导通
电阻每硅片面积。这些附加功能。
汽车合格HEXFET功率MOSFET的是一个
150°C交界处的工作温度，开关速度快
和改进型重复雪崩额定值。这些好处
结合起来，使这个设计一个**和
*的装置在汽车应用中使用广泛
各种其他应用程序。
*率的SO-8封装，提供了增强的热
特性使得它在各种电源应用的理想选择。
这种表面贴装的SO-8可以显着减少电路板
空间，也可在磁带和卷轴。

封装图片展示