TOSHIBA/东芝
2SK3563
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
1(V)
1(V)
1(pF)
1(dB)
企业名:上海琼创电子科技有限公司
类型:经销商
电话:
联系人:顾丽晴
地址:上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
部件型号 | 2SK3563 | |
*性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 500 V | |
漏电流ID | 5 A | |
漏功耗PD | 35 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 16 | |
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 1.5 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司