TOSHIBA/东芝
2SK3566
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
1(V)
1(V)
1(pF)
1(dB)
企业名:上海琼创电子科技有限公司
类型:经销商
电话:
联系人:顾丽晴
地址:上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
部件型号 | 2SK3566 | |
*性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 900 V | |
漏电流ID | 2.5 A | |
漏功耗PD | 40 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 12 | |
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 6.4 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司