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IXFK360N10T

IXFK360N10T
IXFK360N10T
  • 品牌：

    IXYS/艾赛斯

  • 型号：

    IXFK360N10T

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压：

    na（V）

  • 夹断电压：

    na（V）

  • 跨导：

    na（μS）

  • *间电容：

    na（pF）

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普通会员

  • 企业名：上海元限电子科技有限公司

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    联系人：王洋

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产品分类
新品上架
商品信息 更新时间：2012-12-18

Product DetailBack
Part Num:IXFK360N10T
Description:POWER DEVIC* > DISCRETE
MOSFETs > N-Channel: Trench Gate Power MOSFETs > Trench
HiperFETs
Configuration:Single
Package Style: TO-264
Status:Active Part
Support Docs:
DataSheet

 

 

 
Parameter

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