FRE*CALE/飞思卡尔
FQD2N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
*(V)
*(V)
*(μS)
*(pF)
*(dB)
*(mA)
2500(mW)
企业名:深圳市芯易伟业科技有限公司
类型:经销商
电话:
手机:13632533130
联系人:陈旋
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北路华强广场D座28G
数据列表 FQD2N60C, FQU2N60C
D-PAK Tape and Reel Data
产品相片 TO-252-3
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 P*ivation Material Change 14/May/2008
标准包装 2,500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 1.9A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 4.7 欧姆 @ 950mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 235pF @ 25V
功率 - *大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
供应商设备封装 TO-252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 FQD2N60*M-ND
FQD2N60*MTR
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司