CER-DIP/陶瓷直插
20ETF10
MOS-TPBM/三相桥
IR/国际整流器
P沟道
结型(JFET)
增强型
属性值
类型:经销商
电话:
手机:15919879353
联系人:朱文通
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 福华路京海花园8D
∟ 结型场效应管(6)
数据列表 | 20ETF10 |
制造商 | IR |
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
属性 | 数据采集-数模转换器 |
系列 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
设置时间 | 2.5µs |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏*至源*电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 104A |
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 62A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(*大) | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
功率 - *大 | 380W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司