CER-DIP/陶瓷直插
2SC3866
M*金属半导体
MOS-TPBM/三相桥
FUJI/富士通
P沟道
结型(JFET)
增强型
属性值
类型：经销商
电话：
手机：15919879353
联系人：朱文通
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 福华路京海花园8D
∟ 结型场效应管(6)
| 数据列表 | 2SC3866 |
| 产品相片 | TO-220 |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 属性 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏*至源*电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 33A |
| 开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 44 毫欧 @ 16A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（*大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| 功率 - *大 | 130W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
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