INFINEON/英飞凌
11N60C3
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
600
600
类型：生产企业
电话：
联系人：杨玲玲
地址：广东深圳中国 广东 深圳市 南山区南海大道西海岸大厦8L
∟ 结型场效应管(5)
代理经销SPP11N60C3 SPA11N60C3英飞凌MOS管价格优惠
主要参数 产地：德国
SPP11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 120W TO220
SPA11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 33W TO220
英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种**的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；英飞凌在这方面是**的。离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度*高，生产的器件有一个重要特点就是一致性*好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。
富利通主营品牌：英飞凌，*童，ST,MPS等。产品线有：IGBT单管，IGBT模块，可控硅，场效应(MOS)管，快恢复二*管，电源IC，富利通为您提供技术支持，方案应用，专向电焊机，焊接设备，开关电源，变频器，控制器，逆变器，照明，工*等行业提供快捷，*，贴心的服务。是*比的电源器件代理商。如有需要请来电咨询，期待与您的合作！
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