MOS场效应管17N80C3

品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
型号/规格：
17N80C3
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
D/变频换流
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
800（V）
夹断电压：
800（V）
跨导：
10（μS）
*间电容：
50（pF）
漏*电流：
15（mA）

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场效应管MOSFET(14)
∟ 结型场效应管(5)

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商品信息

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SPA17N80C3 SPW17N80C3 SPP17N80C3英飞凌COOLMOS优惠供应

主要参数产地：德国

SPA17N80C3 P-TO220F 800.0 V 0.29 Ohm 17.0 A 51.0 A 42.0 W

SPW17N80C3 P-TO247 800.0 V 0.29 Ohm 17.0 A 51.0 A 208.0 W

SPP17N80C3 P-TO-220 800.0V 0.29 Ohm 17.0A 51.0A 208.0W

相关介绍

英飞凌功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种**的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度*高，生产的器件有一个重要特点就是一致性*好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。

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