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优质供应英飞凌ICL8001G

优质供应英飞凌ICL8001G
优质供应英飞凌ICL8001G
  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    ICL8001G

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    TR/激励、驱动

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 属性:

    属性值

普通会员
产品分类
商品信息

Electrical Characteristics
Version 1.0 14 May 6, 2010
4.3.9Gate Drive
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test Condition
min.
t*.
max.
Output voltage at logic low
VGATElow
-
1.0
V
VVCC=18V
IOUT = 10mA
Output voltage at logic high
VGATEhigh
9.0
10.0
V
VVCC=18V
IOUT = -10mA
Output voltage active shut down
VGATEasd
1.0
V
V
VVCC = 7V
IOUT = 10mA
Rise Time
trise
-
117
-
ns
COUT = 1.0nF
VGATE= 2V ... 8V
Fall Time
tfall
-
27
-
ns
COUT = 1.0nF
VGATE= 8V ... 2V

联系方式

企业名:结型场效应管 深圳市汇能伟业科技有限公司

类型:招商代理

电话:

手机:15013851921

联系人:杨新生

地址:广东深圳中国 广东 深圳市 深圳市福田区天安数码城天发大厦CD座四楼

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