SMD(SO)/表面封装
ICL8001G
GE-N-FET锗N沟道
TR/激励、驱动
INFINEON/英飞凌
N沟道
结型(JFET)
增强型
属性值
类型:招商代理
电话:
手机:15013851921
联系人:杨新生
地址:广东深圳中国 广东 深圳市 深圳市福田区天安数码城天发大厦CD座四楼
∟ 结型场效应管(4)
Electrical Characteristics
Version 1.0 14 May 6, 2010
4.3.9Gate Drive
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test Condition
min.
t*.
max.
Output voltage at logic low
VGATElow
-
1.0
V
VVCC=18V
IOUT = 10mA
Output voltage at logic high
VGATEhigh
9.0
10.0
V
VVCC=18V
IOUT = -10mA
Output voltage active shut down
VGATEasd
1.0
V
V
VVCC = 7V
IOUT = 10mA
Rise Time
trise
-
117
-
ns
COUT = 1.0nF
VGATE= 2V ... 8V
Fall Time
tfall
-
27
-
ns
COUT = 1.0nF
VGATE= 8V ... 2V
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