Mitsubishi/三菱
MGF2415A
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
标准(V)
5.0(V)
6(μS)
标准(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:冯进军
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深南中路田面花园17栋802室
三菱GaAs器件,支持实现IT社会。*互联网、视频点播、*数据通信等通信网络正在*发展。三菱GaAs器件产品阵容丰富,应用于卫星、基站、移动电话手机等广泛领域,为实现IT社会提供*适宜的解决方案。*:*率、低失真的特性,*适于W-CDMA基站内部匹配型用的中/大功率分立FET。GaAsFET功率放大器模块适用于PDC系统的800MHz波段/1.5GHz波段,*了令人自豪的同等级*小水平的0.03cc,容积*为0.1cc的发射模块,*大地*了三倍频带移动电话终端的小型化
主要用途:移动电话终端,移动电话基站,卫星搭载用器件。深圳浩时健电子*代理日本三菱GaAs器件,*原装,量大可优惠,可售样品:
MGF0805A | 13.0(min) | 50 | 1.9 | 10 | 0.4 |
MGF0907B | 8.0(min) | 37 | 2.3 | 10 | 2.4 |
MGF0909A | 10.0(min) | 45 | 2.3 | 10 | 1.3 |
MGF0910A | 10.0(min) | 37 | 2.3 | 10 | 1.3 |
MGF0911A | 10.0(min) | 40 | 2.3 | 10 | 2.6 |
MGF0913A | 11.0(min) | 48 | 1.9 | 10 | 0.2 |
MGF0915A | 13.0(min) | 50 | 1.9 | 10 | 0.8 |
MGF0918A | 18.0(min) | 45 | 1.9 | 10 | 0.15 |
MGF0920A | 16.0(min) | 45 | 1.9 | 10 | 0.4 |
MGF0921A | 15.0(min) | 40 | 1.9 | 10 | 0.5 |
MGF0951P | 11.0(min) | 50 | 2.15 | 10 | 0.2 |
MGF0952P | 11.0(min) | 50 | 2.15 | 10 | 0.7 |
MGF095* | 16.5(min) | 50 | 2.15 | 10 | 0.15 |
MGF1451A | 9.0(min) | ─ | 12 | 3 | 0.03 |
MGF1951A | 7.0(min) | ─ | 12 | 3 | 0.03 |
MGF1952A | 5.0(min) | ─ | 12 | 3 | 0.06 |
MGF1953A | 4.0(min) | ─ | 12 | 4 | 0.1 |
MGF1954A | 3.0(min) | ─ | 12 | 6 | 0.1 |
MGF2407A | 7.0(min) | 30 | 14.5 | 10 | 0.075 |
MGF2415A | 6.5(min) | 29 | 14.5 | 10 | 0.15 |
MGF2430A | 5.5(min) | 27 | 14.5 | 10 | 0.3 |
MGF2445A | 5.5(min) | 20 | 12 | 10 | 0.45 |
MGF4851A | 9.0(min) | ─ | 12 | 2.5 | 0.025 |
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