TOSHIBA/东芝
2SK3079A
结型(JFET)
N沟道
增强型
VHF/甚高频
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
3(V)
10(V)
*(μS)
13(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:赵燕铃
地址:广东深圳中国 广东 深圳市 华强电子世界三号楼2C030
∟ 结型场效应管(1)
硅N沟道MOS型470兆赫频带放大器应用 东芝场效应晶体管型硅N沟道MOS470兆赫频带放大器应用
(注)东芝本文件中所列产品用于高频功率放大器的电信设备。不要使用这些东芝在本文件中所列的产品除外高频功率放大器的电信设备
*输出功率:宝=33.50dBmW(2.2宽)(分钟)
*增益:糖=*五○分贝(分钟)
*漏*效率:ηD=50.0%(分钟)
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司