SMD(SO)/表面封装
NTD20N06L
N-FET硅N沟道
MOS-FBM/全桥组件
ON/安森美
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
类型：经销商
电话：
联系人：陈瑞展
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北路新亚洲电子市场二期N3A011 深圳市南山科技园桑达科技大厦9楼
∟ 整流二极管(4)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 肖特基二极管(4)
数据列表 | NTD20N06L |
产品相片 | TO-263 |
产品变化通告 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源*电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） | 20A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） | 48 毫欧 @ 10A，5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 32nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 990pF @ 25V |
功率 - *大值 | 1.36W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装 | 管件 |
其它名称 | NTD20N06LG-ND |
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