N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
功率
TO-*
2SK3878
CER-DIP/陶瓷直插
TOSHIBA/东芝
MOS-INM/*组件
N沟道
增强型
150W
类型：
电话：
联系人：马加鹏
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
2SK3878
制造商 Toshiba
制造商*件编号 2SK3878(F)
描述 MOSFET N-CH 900V 9A TO-*N
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / *合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 9A
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.3 欧姆 @ 4A, 10V
Id时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2200pF @ 25V
功率 - *大 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-*-3, SC-65-3
供应商设备封装 TO-*(N)
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
