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IR牌子场效应管IRF3205S 原装

供应 IR牌子场效应管IRF3205S 原装

供应 IR牌子场效应管IRF3205S 原装

材料：
GE-N-FET锗N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
型号/规格：
IRF3205S
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
品牌/商标：
IR/国际整流器
用途：
L/功率放大
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
在电阻RDS（上）：
8mohm
功耗：
150W
工作温度：
-55°C 到 +175°C

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1A048

产品分类

二极管(54)
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
三极管(36)
∟ 功率三极管(11)∟ 开关三极管(1)∟ 复合(达林顿)三极管(12)∟ 其他三极管(12)
场效应管MOSFET(110)
∟ MOSFET(102)∟ 结型场效应管(8)
可控硅IGBT(2)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(1)∟ 双向可控硅(晶闸管)(1)
连接器/接插件(7)
继电器(2)
∟ 电磁继电器(1)∟ 差动继电器(1)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 光电光耦合器(光耦)(1)

新品上架

商品信息

场效应???MOSFET N D2-PAK 55V 110A
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 98A
电压, Vds*大: 55V
在电阻RDS（上） 8mohm
: 电压@ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th典型值: 4V
功耗, Pd: 150W
工作温度敏: -55°C
工作温度*高: 175??C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: IRF3205S
功率, Pd: 150W
功耗: 150W
功耗(于1平方英寸PCB): 3.7W
外宽: 10.54mm
外部深度: 15.49mm
外*度/高度: 4.69mm
封装类型: D2-PAK
封装类型,其它: D2-PAK
工作温度范围: -55°C到 175°C
晶体管数: 1
温度@电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏*电流, Id*大值: 110A
热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds典型值: 55V
电压, Vgs*高: 4V
电流, Idm脉冲: 390A
表面安装器件: SMD
阈值电压, Vgs th*高: 4V

"

联系方式

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1A048

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