IR/国际整流器
IRFP054N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 43A, 10V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 81A
直插型
IRFP054N
数据列表IRFP054NPbF
产品相片TO-247-3
产品目录绘图IR Hexfet TO-247AC
标准包装25
类别分离式半导体产品
家庭FET -单
系列HEXFET®
FET型MOSFET N通道,金属氧化物
FET特点标准型
漏*至源*电压(Vdss) 55V
电流-连续漏*(Id) @ 25°C 81A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25°C 12毫欧@ 43A, 10V
Id时的Vgs(th)(*大)4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
输入电容(Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V
功率-*大170W
AO4812
型号/规格:全系列 品牌/商标:美国万代 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 AO4812采用先进沟道技术,...
SVF5N60
型号/规格:SVF5N60 PFP5N60 品牌/商标:PGS / SL 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率...
AOD4132
品牌/商标:AOS/美国万代 型号/规格:AOD4132 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:S/开关 封装外形...
IHW40N60T
品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IHW40N60T 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频...
FQP7N60场效应管
品牌/商标:FAIRCHILD/*童 型号/规格:FQP7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放...
IRFP264
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP264 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电...
深圳市广鑫世纪电子有限公司位于中国深圳市福田区深南大道华强北华强广场D座19J室,是一家集成IC、可控硅、光耦、二三极管、单片机、高频管、LED驱动IC、闪存等产品的经销批发的个体经营。公司经营的产品畅销消费者市场。公司的产品在消费者当中享有较高的地位,公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。深圳市广鑫世纪电子有限公司经销品种齐全、价格合理。公司实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。
主营范围
集成IC;可控硅;光耦;二三极管;单片机;高频管;LED驱动IC;闪存;