FAIRCHILD/*童
FQP50N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
120
25
直插型
60V逻辑N沟道MOSFET
产品特点
52.4A，60V，RDS（ON）=0.021Ω@ VGS=10 V
低栅*电荷（典型值24.5 NC）
低反向传输电容（典型为90 pF）
快速开关
100％雪崩测试
改进的dv / dt能力
175°C*高结温额定值
拆机场效应管 2SK1082
品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1082 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装...
场效应管 K1304
品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:K1304 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装...
AOS MOSFET场效应管
品牌/商标:AOS/美国万代 型号/规格:AOD4132 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:S/开关 封装外形...
p75nf75场效应管
品牌/商标:NCE 型号/规格:NCE7580 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DI...
耗尽型MOS场效应管
品牌/商标:GC 型号/规格:DMZ6005 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D/变频换流 封装外形:SMD...
IRF2807PBF场效应管
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF2807PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/...
IRF531场效应管
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF531 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:SW-REG/开关电源...
IR MOS管
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLML2502TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功...
开关电源
品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:D92-02 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DIFF/差分放大 ...
场效应管 9926
品牌/商标:OGFD 型号/规格:9926 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DUAL/配对管 封装外形:CE...
深圳市广鑫世纪电子有限公司位于中国深圳市福田区深南大道华强北华强广场D座19J室，是一家集成IC、可控硅、光耦、二三极管、单片机、高频管、LED驱动IC、闪存等产品的经销批发的个体经营。公司经营的产品畅销消费者市场。公司的产品在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。深圳市广鑫世纪电子有限公司经销品种齐全、价格合理。公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任。
主营范围
集成IC;可控硅;光耦;二三极管;单片机;高频管;LED驱动IC;闪存;
